kovalonok.okis.ru

Вопросы для устного зачета групп РП-12-1/2

 

1. Дрейф – движение носителей заряда  под действием электрического поля.

2. µ ( подвижность)- средняя скорость поступательного движения электронов  под действием поля с единичной напряженностью.

3. Диффузионный ток- перемещение носителей заряда за счет диффузии.

4. От чего зависит удельная проводимость полупроводников?- удельная проводимость полупроводников зависит от концентрации носителей заряда  и от их подвижности.

5. Что такое p-n переход? – область на границе двух полупроводников  с различными типами электропроводности .

6. Инжекция носителей заряда- введение носителей заряда через пониженный  под действием прямого напряжения  потенциальный барьер в область, где эти носители являются неосновными.

7. Фоторезистор- полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием излучения.

8. Варистор (НПС)- полупроводниковый резистор, обладающий нелинейными свойствами 9. Чем объясняется нелинейность варистора?- нагрев монокристаллов между зернами карбида кремния.

10. Что такое коэффициент нелинейности β ?- отно­шение сопротивления по постоянному току к сопротивлению по переменному току.

11. Терморезисторы- полупроводниковые резисторы, у которых  сопротивление сильно зависит от температуры.

12. Позисторы- терморезисторы, имеющие в сравнительно узком интервале температур положительный ТКС.

13. Что такое вольт-амперная характеристика (ВАХ)?- график зависимости между током и напряжением.

14. Свойства p-n перехода. К основным свойствам p-n перехода относятся:

    свойство односторонней проводимости;

    температурные свойства p-n перехода;

    частотные свойства p-n перехода;

     пробой p-n перехода

15. Что такое барьерная ёмкость - это ёмкость, обусловленная неподвижными зарядами ионов донорной и акцепторной примеси.

16. Переход Шотки -Граница раздела металла и полупроводника со слоем положительных зарядов ионов донорной примеси называется переходом Шоттки.

17. ВАХ диода ( уметь рисовать)

18. Выпрямительный диод- Выпрямительным диодом называется полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, то есть в источниках питания. Выпрямительные диоды всегда плоскостные, они могут быть германиевые или кремниевые.

19.Стабилитрон- стабилитроном называется полупроводниковый диод, предназначенный

для стабилизации уровня постоянного напряжения.

20.ВАХ стабилитрона (учебник Москатова стр. 23)

 

 

21. Светодиод- Светодиодом называется полупроводниковый прибор, в котором происходит непосредственное преобразование электрической энергии в энергию светового излучения.

 

22. Схемы включения ОЭ (см. рисунок)

 

23. Схемы включения ОК (см. рисунок)

 

24. Схема включения ОБ (см. рисунок)

 

25. Варикап- Варикапом называется полупроводниковый диод, у которого в качестве основного параметра используется барьерная ёмкость, величина которой варьируется при изменении обратного напряжения.

 

 

26. Темновой ток – ток через фотодиод при отсутствии светового потока и при заданном рабочем напряжении.

 

27. Спектральная характеристика фотодиода – это зависимость мощности излучения от длины волны.

 

 

28. Интегральная чувствительность – это отношение фототока к световому потоку

 

29. Как производится классификация транзисторов?- Классификация транзисторов производится по следующим признакам:

- По материалу полупроводника – обычно германиевые или кремниевые;

- По типу проводимости областей (только биполярные транзисторы): с прямой проводимостью (p-n-p - структура) или с обратной проводимостью (n-p-n - структура);

- По принципу действия транзисторы подразделяются на биполярные и полевые (униполярные);

- По частотным свойствам;

НЧ (

СрЧ (3.30 МГц);

ВЧ и СВЧ (>30 МГц);

- По мощности. Маломощные транзисторы ММ (

Вт), мощные (>3 Вт).

 

30. Маркировка транзисторов-

 I – материал полупроводника: Г – германий, К – кремний.

II – тип транзистора по принципу действия: Т – биполярные, П – полевые.

III – три или четыре цифры – группа транзисторов по электрическим параметрам

 

31. Основное соотношения токов в транзисторе Ток эмиттера равен  сумме токов коллектора и базы.

 

32. Квантовая электроника – область физики, изучающая методы усиления и генерации электромагнитного излучения путем использования эффекта индуцированного испускания излучения в термодинамически неравновесных системах, свойства получаемых таким образом усилителей и генераторов и их применения.

33.В квантовых системах, обладающих дискретными уровнями энергии, существуют три типа переходов между энергетическими состояниями: 1) переходы, индуцированные электромагнитным полем; 2) спонтанные переходы; 3) безызлучательные релаксационные переходы.

34.Системы квантовых частиц, в которых хотя бы для двух уровней энергии верхний уровень населен сильнее нижнего уровня, называются системами с инверсией населен­ностей.

35.Процесс создания инверсной населенности уровней называется накачкой активной или лазерной среды.

Из основных способов накачки можно выделить следующие:

36. Оптическая накачка, которая используется в основном для возбуждения лазеров на конденсированных средах (трех- и четырехуровневые схемы накачки).

37. Фотодиссоционная накачка (разновидность оптической накачки) используется для молекулярных газовых сред, которые диссоциируют при поглощении светового излучения накачки. Среди продуктов диссоциации по крайней мере один атом может оказаться в возбужденно состоянии. Наиболее известные фотодиссоционные лазеры, активные среды которых содержат молекулярные соединения C₃F₇I или CF₃I, работают на переходах атома йода с длиной волны излучения l = 1,315 мкм. 

38. Газовый разряд – один из наиболее распространенных методов накачки газовых лазеров как низкого (£ 50 мм рт. ст.), так и высокого (~ 1 атм) давления.  Применение газового разряда позволило получить генерацию более чем на 6000 переходах атомов, ионов, молекул при использовании примерно 130 различных элементов и молекулярных соединений в диапазоне длин волн 0,115-337 мкм.

39. Химическая накачка используется для создания инверсной населенности уровней в химических лазерах. Инверсная населенность возникает непосредственно в процессе химических реакций между компонентами активной среды. Излучение химического лазера есть результат прямого преобразования химической энергии в лазерное излучение. Для инициирования химических реакций чаще всего используются различные типы газовых разрядов и пучки быстрых электронов. Наиболее известными являются химические лазеры на колебательно-вращательных переходах молекулы HF (l = 2,6-3,3 мкм).

40. Газодинамическая накачка, в основе которой лежит быстрое охлаждение предварительно нагретой до температур 1000-2000 К газовой смеси. В качестве лазерных сред исполь­зуются молекулярные газы, чаще всего лазерные смеси на основе СО₂ (l = 10,6 мкм).

41. Накачка лазеров ионизирующими излучениями с использованием пучков быстрых электронов и ионов, ядерных реакторов, ядерных взрывных устройств, радиоактивных изотопов.

42. Важнейшим элементом лазерных устройств является резонатор, при использовании которого за счет многократного отражения достигается наиболее полное взаимодействие электромагнитного излучения с активной средой. Обеспечивая положительную обратную связь, резонатор существенно влияет на свойства лазерного излучения и определяет, в частности, его диаграмму направленности и спектральный состав.